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ESD是一种常见的近场危害源，可形成高电压，强电场，瞬时大电流，并伴有强电磁辐射，形成静电放电电磁脉冲。·电流>1A，·上升时间～15ns，衰减时间～150ns。ESD静电放电的特点：静电起电的**常见原因是两种材料的接触和分离。**经常发生的静电起电现象是固体间的摩擦起电现象，浙江SIM卡ESD保护元件测试。此外还有剥离起电、破裂起电、电解起电、压电起电、热电起电、感应起电、吸附起电和喷电起电等。物体的静电起电—放电一般具有高电位，浙江SIM卡ESD保护元件测试、强电场和宽带电磁干扰等特点，浙江SIM卡ESD保护元件测试。ESD静电保护元件一般为硅基材料器件，相应速度可做到ps级。浙江SIM卡ESD保护元件测试

高频接口的ESD防护电路设计方法，接口的ESDS要求和ESSD选择，通信产品内部接口的静电放电风险主要是在产品及其部件的组装和测试过程，当制造环境和测试策略进行适当的防静电控制后，ESD风险能够得到一定程度的降低，但是实际经验表明，这些内部接口的静电放电敏感度(ESDS)仍然需要达到+2000V以上才是比较安全的。通信产品外部接口的ESD风险不仅存在于产品及其部件的组装和测试过程，更主要的是用户的使用过程，实际经验表明，这些外部接口的ESDS需要达到+4000V以上时才能有效防止接口器件被ESD损坏。为了提高接口的抗静电能力，用于高频接口的静电敏感器件(ESSD)应选用防静电能力强的器件，并需要同时考虑接口器件静电敏感度的人体模式(HBM)、机器模式(MM)和器件充电模式(CDM)参数。一般HBM参数应不低于500V，CDM和MM参数应不低工200V。浙江SIM卡ESD保护元件测试ESD静电放电机器模型MM的典型**如带电绝缘的机器人手臂、车辆、绝缘导体等。

日常生活防静电ESD防护，1保持皮肤湿润，静电如果频繁找上你，很可能是因为你的皮肤缺水了。提高皮肤的湿润度，可以更好地避免静电的产生，也就避免了静电给皮肤带来疼痛感。2室内保持湿度，秋冬季节空气湿度下降，导致静电难以释放，这就造成了身体静电过多。在室内防静电的比较好办法就是增加空气湿度，一般要求相对湿度在45%～65%。干燥季节要保持空气湿度，可在室内放一盆水，让水自然蒸发，或者使用加湿器调节室内湿度。3静电释放装置，可选购市面上常见的静电放电器、静电释放棒、静电带、静电贴、除静电钥匙扣等。触碰金属部件时，先用小金属物品（如：钥匙、静电放***）先接触需接触的位置，以达到消除静电的目的。

防静电的四项基本原则是：原则一：等电位连接，与敏感器件接触的导体实现等电位连接，避免因导全带静电发生放电；原则二：静电源控制，绝缘材料的静电通过连接地和等电位连接无法消除，因此必须对敏感器件周边进行静电源控制；原则三：静电源包装，出ESD防护区的器件必须使用防静电包装，以防外界静电源的影响；原则四，ESD防护措施不能降低安全水准，如安全与之***，安全第一。静电是一种客观的自然现象，产生的方式多种，如接触、摩擦、剥离等。静电防护技术，如电子工业、半导体、石油工业、兵器工业、纺织工业、橡胶工业以及兴航与***领域的静电危害，寻求减少静电造成的损失。ESD静电保护元件具有单向和双向之分。

在高频接口还可以采用电阻衰减网络和LC滤波电路形成ESD保护。电阻衰减网络在很宽的频带范围都有较好的适应性，但是它在衰减ESD脉冲的同时，对高频信号进行同比例衰减，改变了电路系统的增益分配，而且在低噪声要求的高频接口不能采用此方法。从图1的ESD频谱可见，数百MHz以下的高频接口很难使用滤波方法实现ESD防护，只有在GHz以上的高频接口且使用LC高通滤波器才具有可实现性。适用于高频信号接口的ESD防护电路必须有很小的并联结电容、较小的串联电感和很快的响应速度，这对防护器件参数的选取、PCB布局的寄生参数控制、阻抗匹配以及布板面积都有较高的要求，实际实现起来并不简单。在ESD设计中，Diode是一种常见的器件。浙江SIM卡ESD保护元件测试

单位面积的ESD防护能力大致如下：SCR＞MOS＞Diode（反向击穿）。浙江SIM卡ESD保护元件测试

现代通信技术和微电子技术推动半导体器件向微型化、高频高速、高集成度、微功耗方向发展，从而促进半导体材料和工艺的不断更新。具有良好高频特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半导体化合物材料通常属于ESD高敏感材料:高集成度芯片内部的细引线、小间距、薄膜化使器件尺寸进一步缩小，氧化层进一步减薄，导致器件抗ESD能力越来越低高速数字电路、高频模拟电路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工艺，采这些工艺制作的器件明显具有ESD高敏感特性。IC中的线宽和间距越来越窄(从儿un到0.07m)，电源电压越来越低(从15V到15V)，IC抗ESD损坏的阈值电压越来越低。例如，现在通信设备中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工艺制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高频芯片中集成的MIM电容等，它们的静电敏感电压都在数百伏，低达100V，成为ESD高损伤率器件。浙江SIM卡ESD保护元件测试

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